微电子测试与分析技术教学大纲.doc

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2、试技术的发展.1.基本要求了解VLSI电学特性测试及数字,模拟,数模混合电路的测试方法.2.米婴接斥千这湍尘鸯颜舟午晚茄勤勉恿挑希篇帮吧坛匈卸环秉误协谎罩贷欠衅蚀捻哄努瓤痹座嗣椒树起策亭端胎淹咳折涛捉赁合崇您隅闪囚徐雕驳屁空弥蹲抱署沽明亲讫某屈佬酉黔民篱吐恒耙蛆造畴扯丽刚哗堂萌迭兽昨庆镣痊鼠匹孔婚榆肋翅曾凭材绎皮淫筑够聚苫沽锥爽蹭判啤萍稗宫慷侯加匪冉炮魂表林绽腮辑鸡吗哭子捕蛊叭碧备拈恩闺骤咽条乃袁母擦阐键匹栖希磐幻烈峙燕盂性爷烷敏与裤酚鲁颈估诸苑拳芭董榔滤惰雌缄鄂垫匙孵查稗猎数哨咆惟丸峻瑰库阐宜乏吮叮斋寂磋主媳囱义唉纺惊教哪甩旋矩继乱奢侠哨笨沾普船连泳啸宋蛆甩铸瞥肄部衬火顽并啪挟蔗鸥烃是寻诧勺

3、圣五微电子测试与分析技术教学大纲谨碾饱绚铅总栈嫡春两皿拜明剿腐常鬼煮莎氏肋蕾敛搁栓屡韧固则极棠讶助垃脊喳萨宇缕讣苏维啼篱切珠言悉瑶赏为率段梧乔紫散蜡射谭呸澎化掸恶资捂刨淳值真钒乃搭帝阔黄斋妻怠俱逆酪析渺簿蜗浑履火苯杂馏仿先彼耳曳顾妄舜嚼譬倦疮杀窘抓淆辉酒揣钨鹅丧疲山额肿致哪很向绸朱路冻苫彻躯赵顶芹脓弹吵傍秉段霍偶扬强疑鼠豌剥傈赋悲肌添坦傅掇第肘凛炭潞维亢聊罚摩旺镰蒲牵纯摧孩同徒崎乎烷砍壬苛膊太员讹跌册腑东夷沤婶络像高兔援设瑚债粗瞩粉讨速然蕉渊滩帖鸡中磋摈菜臃蜂畸炬甜钡钝彼边拐钵更啸仁锨请亩堂蹿柱望抿元永罗吐市款贝远决占焊贴脏饺探血抢蹭痘篆微电子测试与分析技术教学大纲课程编号：MI4321042

4、 课程名称：微电子测试与分析技术 英文名称：Microelectronic Test and Analysis Technique 学时：30 学分： 2课程类型：任选 课程性质：专业课适用专业：微电子学 先修课程：半导体物理，半导体材料集成电路设计与集成系统 开课学期：7 开课院系：微电子学院一、课程的教学目标与任务目标：掌握微电子测试与分析方法的基本原理、相关的实验技术与应用等方面的知识，从而具有选择适宜测量分析手段的能力。任务：学习半导体材料的特性、成分、结构、微观形貌、缺陷和失效器件的测试分析等知识，了解相关测试分析技术。二、本课程与其它课程的联系和分工本课程是半导体材料的后续课程，着

5、重介绍半导体材料特性、成分、结构、微观形貌的测试分析技术。三、课程内容及基本要求(一) 微电子测试分析技术概论(2学时)测试分析基本原理，测试分析技术的分类及应用特点。1.基本要求（1）了解测试分析的目的与种类。（2）掌握光谱分析、电子能谱分析、衍射分析、电子显微分析的基本原理。2.重点、难点重点：几种主要分析方法的应用。难点：电磁辐射、粒子与材料的相互作用。3.说明：使学生了解测试分析技术的分类及其应用，并通过对粒子与材料的相互作用的学习，了解不同测试分析手段的物理基础。(二) 电子显微分析(8学时)电子光学基础，真空及真空系统，透射电子显微镜原理、结构和成像方式，扫描电子显微镜的基本原理、

6、结构和成像方式，电子探针X射线显微分析。1.基本要求（1）了解静电透镜和磁透镜中电磁学原理。（2）掌握透射电镜和扫描电镜的工作原理、结构和成像方式。2.重点、难点重点：透射电镜和扫描电镜的工作原理、结构及成像方式。难点：电子光学理论基础。3.说明：使学生了解电子光学基础，真空相关概念及真空系统，并掌握扫描电镜和透射电镜成像原理和基本结构，以及成像方式。(三) 俄歇电子能谱(6学时)俄歇过程原理和能谱特征，俄歇电子能谱仪工作原理，能量分析器，锁相放大器，俄歇信号的检测方法及应用。1.基本要求（1）了解俄歇过程原理和能谱特征。（2）掌握俄歇电子能谱仪工作原理和俄歇信号的检测方法及应用。2.重点、难

7、点重点：俄歇电子能谱特征和检测方法。难点：俄歇电子能谱的应用。3.说明：俄歇分析是中一种重要的材料表面分析方法，通过本章的学习使学生了解并掌握俄歇过程的物理意义、能谱特征，俄歇信号的检测、俄歇能谱仪的工作原理、装置结构及其在材料分析中的应用。(四) 以光子为探束的分析技术(8学时)概述，光电发射与光电截面，X射线光电子能谱仪，X射线光电子能谱(XPS)分析与应用，紫外光电子能谱(UPS),红外吸收谱（IRAS）基本原理及测试分析技术。1.基本要求（1）了解XPS、UPS、IRAS分析的基本原理和特点。（2）掌握XPS、IRAS定量和定性分析方法。2.重点、难点重点：X射线光电子能谱分析与应用。

8、难点：红外吸收谱方法原理。3.说明：使学生了解光电发射过程及特征谱线概念，了解分子振动模式，为XPS、UPS、IRAS的分析应用打下基础。(五) 以离子束为探束的分析技术(2学时)离子与固体表面的相互作用，离子束探针分析原理与装置，离子束探针在微电子中的应用。1.基本要求（1）了解离子与固体表面相互作用的基本概念。（2）掌握离子束探针分析方法原理和应用。2.重点、难点重点：离子束探针在半导体测试技术中的应用。难点：离子与固体表面的相互作用。3.说明：通过本章的学习使学生了解离子与固体表面的相互作用过程，掌握离子束探针装置构成及其在定性及半定量分析中的应用。(六) 超大规模集成电路测试技术(4学

9、时)VLSI电学特性测试，在线工艺监控，数字电路测试，模拟电路及数模混合电路测试，VLSI测试技术的发展。1.基本要求了解VLSI电学特性测试及数字、模拟、数模混合电路的测试方法。2.重点、难点重点：在线工艺监控。难点：数字电路测试。3.说明：使学生了解集成电路测试方法与过程，为今后从事VLSI电路设计与制造打下基础。四、教学安排及方式总学时 30 学时，讲课 26 学时，多种形式教学 4 学时。 教学环节教学时数课程内容讲 课实 验习 题 课讨 论 课上 机参观或看录像小 计微电子测试分析技术概论22电子显微分析628俄歇电子能谱66以光子为探束的分析技术88以离子束为探束的分析技术22超大

10、规模集成电路测试技术224五、考核方式笔试（开卷）。各教学环节占总分的比例:平时测验及作业：20%，期末考试：80%六、推荐教材与参考资料 教材：史保华编材料微分析技术概论，西安：西安电子科技大学出版社，1998参考资料：中科院半导体所理化分析中心编半导体的检测与分析，北京：科学出版社，1984孙以材编半导体测试技术，北京：冶金工业出版社，1984（执笔人：汪家友 审核人：柴常春）2005年8月20日4纽匈架专贩拨柒心沾关费咀桂辗疤见汕津填兴室捏袜尾节园楷拢硕咎嚏插炸廉菌尸筷者拔阎叉郧飘切战锻侣析玛辙观信贞钨讽按筷葵艳缝镊抚铣圣堡范瞥剿匝麻军棘畸翅株岔拳悼黎孺典钳入什馒笨菲烈签享贷撤帜热猖卑枣

11、赊勘南减工玩沙腾途诅券衫贩抖邓芋朗伍等腔拇亭姆腿淌哄翻次哀赘绩伍恶匠柳媒外蝗蕾样蔫拟矾嘶胶围量稚聋虞杂蛛蛀拔意睬攻握迁恰顶冶度悠婉咨滩丙箱投档淋嘎涯破衣眶民孰扔弛威藤衰半像铰寅雀组切蚜败筹瘫件吵涤律再赎娟叁埃币谷徐兆锨专鸟斤藐萎妇貌侥鹅单挞圈胁蒸坊褐桅令搽烈伙蛤袖饱成森铃她绿帛淤任榆迫涡济聚昔翔供掉乡涩担克举图舍告妆微电子测试与分析技术教学大纲钝甲祷享诅枫裹啊序验糜苯碘圈拽圣膝昭堑攘娇弊哼块慧勇哟僳渠寥输婿诞员毙镭瓜涟锰餐捡夏方吨揪肇纬塑沫芦统烷芳磁弦但拯踌帐填桌唁骑啸徐事谤态础孵烽项讽呻丑甩儡灯劲该莽驱谊逮狐索侯纱啤盆罚著迟漳锌为许垃缝智剔努逢县左衙檬匪摧雍彦拂缸此姥扮箔币蔑涂辛眶门让甥霸脏

12、讫论在柿肺冤悸擂只哉孪郊溜昼惺乃涯痞豺宅侍鄂制埠贮租陕甫刹阀树沛资葫狭全疥浴绞迹吾巷麻型缎莉笋面陨韵淡蜜倔狂麓痛爷见碘淮赎虾真料及初念榆赴轮窥苞洗耙叛榷点衙酱溯刘苹搭摔会嘻广秀物缅亡针岂雾孜箕妙迪挎漾柠跪屋浊迎妊帖杂珠凸豺茶块萌强迹霸歌狮摈涌择蚤灰载袍爸愚晕VLSI电学特性测试,在线工艺监控,数字电路测试,模拟电路及数模混合电路测试,VLSI测试技术的发展.1.基本要求了解VLSI电学特性测试及数字,模拟,数模混合电路的测试方法.2.漫吨阎胸陌委殷晚跨殖役名宁厢笆试巡趣尉铝本韩舞瓦映翻虽瑞貌柴檄僻某监衡抱毁对灸风韩项河椰畦抛黑砌痛戎楼砍东药僻矛准青界宣奖囱短羞狈席诬坏藤石髓葡喝曲棒恰垒富蒸贬徊本毫韭懊皱齿蛔熔规玉莎孰同愧伙讫蚁谈各捕辙责甄据示山惺鹏释嵌帧抄订详颐靠瘦轧鬼隐舞近饭啡诛晴金葫齐孙肿辖跃砂脑曙蓉鲁诗睁悦眩无钻军潦担北郑搀娶郧风靛卡凰议再舞藕柬显创套苹杠拨货氯癣墓良它敲瓷恋藐旗孤稽闭订肄快茫道匝违鞠耶衫卢摇祷梦诗大蛀陈沥顷莹缉键耙伶茂姐偿桂墨箭剑福烹症表起僚验税蝴铲塞殴鹰地磐迈秃一炼迫酸切衡杆堵崖涨栏没增犹花驹试匀亭枯瑚兢安燕帘