电工电子技术基础

0;增加 。54PN结的单向导电性指的是 PN结 正向 偏置时导通, 反向 偏置时截止的特性 。55晶体三极管有两个PN结,分别是 发射结 和 集电结 ,分三个区域 集电 区、 基 区和 发射 区。晶体管的三种工作状态是 放大状态 、 饱和状态 和 截止 。56三极管输入特性曲线指的是UCE为一定时

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1、0;增加 。
54PN结的单向导电性指的是 PN结 正向 偏置时导通, 反向 偏置时截止的特性 。
55晶体三极管有两个PN结,分别是 发射结 和 集电结 ,分三个区域 集电 区、 基 区和 发射 区。
晶体管的三种工作状态是 放大状态 、 饱和状态 和 截止 。
56三极管输入特性曲线指的是UCE为一定时,讨论 IB 和 UBE 之间的关系。
57在定量分析放大电路的工作性能时,通常采用图解法和 微变等效电路 法。
58稳压管工作在特性曲线的反向击穿 区。
59物质按导电能力强弱可分为 导体 、 绝缘体 和 半导体 。
60本征半导体掺入微量的三价元素形成的是 P 型半导体,其多子为 空穴 。
61稳压管是一种特殊物质制造的 面 接触型 硅 二极管,工作在特性曲线的反向击穿 区。
62. 理想运放同相输入端和反相输入端的“虚短”指的是 同相输入端与反相输入端两点电位相等,在没有短接的情况下出现相当于短接时的现象。
63. 放大电路应遵循的基本原则是: 发射 结正偏; 集电 结反偏。
64. 将放大器 输出信号 的全部或部分通过某种方式。

2、压表与被测电路 并联 。
5电路中任意一个闭合路径称为 回路 ;三条或三条以上支路的交点称为 节点 。
6电路如图所示,设U=12V、I=2A、R=6,则UAB= -24 V。
7直流电路如图所示,R1所消耗的功率为2W,则R2的阻值应为 2 。
8电路中电位的参考点发生变化后,其他各点的电位 均发生变化 。
9在直流电路中,电感可以看作 短路 ,电容可以看作 断路 。
9我国工业交流电采用的标准频率是 50 Hz。
10三相对称负载作三角形联接时,线电流IL与相电流IP间的关系是:IP IL。
11电阻元件是 耗 能元件,电容元件是 储 能元件。
12已知一正弦电压u=311sin(628t-60)V,则其最大值为 311 V,频率为 100 Hz,初相位为 -60 。
13在纯电阻交流电路中,已知电路端电压u=311sin(314t-60)V,电阻R=10,则电流I=22A,电压与电流的相位差= 0 ,电阻消耗的功率P= 48。

3、0;增加 。
54PN结的单向导电性指的是 PN结 正向 偏置时导通, 反向 偏置时截止的特性 。
55晶体三极管有两个PN结,分别是 发射结 和 集电结 ,分三个区域 集电 区、 基 区和 发射 区。
晶体管的三种工作状态是 放大状态 、 饱和状态 和 截止 。
56三极管输入特性曲线指的是UCE为一定时,讨论 IB 和 UBE 之间的关系。
57在定量分析放大电路的工作性能时,通常采用图解法和 微变等效电路 法。
58稳压管工作在特性曲线的反向击穿 区。
59物质按导电能力强弱可分为 导体 、 绝缘体 和 半导体 。
60本征半导体掺入微量的三价元素形成的是 P 型半导体,其多子为 空穴 。
61稳压管是一种特殊物质制造的 面 接触型 硅 二极管,工作在特性曲线的反向击穿 区。
62. 理想运放同相输入端和反相输入端的“虚短”指的是 同相输入端与反相输入端两点电位相等,在没有短接的情况下出现相当于短接时的现象。
63. 放大电路应遵循的基本原则是: 发射 结正偏; 集电 结反偏。
64. 将放大器 输出信号 的全部或部分通过某种方式。

4、测电路中;用电压表测量电压时,应把电压表与被测电路 并联 。
5电路中任意一个闭合路径称为 回路 ;三条或三条以上支路的交点称为 节点 。
6电路如图所示,设U=12V、I=2A、R=6,则UAB= -24 V。
7直流电路如图所示,R1所消耗的功率为2W,则R2的阻值应为 2 。
8电路中电位的参考点发生变化后,其他各点的电位 均发生变化 。
9在直流电路中,电感可以看作 短路 ,电容可以看作 断路 。
9我国工业交流电采用的标准频率是 50 Hz。
10三相对称负载作三角形联接时,线电流IL与相电流IP间的关系是:IP IL。
11电阻元件是 耗 能元件,电容元件是 储 能元件。
12已知一正弦电压u=311sin(628t-60)V,则其最大值为 311 V,频率为 100 Hz,初相位为 -60 。
13在纯电阻交流电路中,已知电路端电压u=311sin(314t-60)V,电阻R=10,则电流I=22A,电压与电流的相位差= 0。

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